在室温下的载流子迁移率约为15cm2/（V·s），这一数值 厂家
了硅材料的，是已知载流子迁移率的物质锑化铟（InSb）的两。在某些特定条件下如低温下， 的载流子迁移率甚至可25cm2/（V·s）。与很多材料不一样， 的电子迁移率受温度变化的影响较小，5~5K之间的温度下，单层 的电子迁移率都在15cm2/（V·s）左右。 纱线
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另外， 中电子载体和空穴载流子的半整数霍尔效应可以通过电场作用改变化学势而被观察到，而科学家在室温条件下就观察到了 的这种霍尔效应。 中的载流子遵循一种的隧道效应，在碰到杂质时不会产生背散射，这是 局域导电性以及很高的载流子迁移率的原因。 中的电子和光子均没有静止质量，他们的速度是和动能没有关系的常数。"